Patent

  • Domestic

■ 표면유도 자기조립에 의한 단결정 공액고분자 나노구조체의 제조 방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-08404990000 ; 등록일자: 2008-06-16 발명자: 조길원; 김도환

 

■ 유기 반도체 물질의 산화 및 선택적 환원을 이용한 고성능 유기박막 트랜지스터의 제조방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-12217610000; 등록일자: 2013-01-07 발명자: 김도환; 한정석; 이상윤; 구본원

■ 질소를 포함하는 헤테로아로마틱계 리간드/전이금속착화합물, 이를 포함하는 버퍼층 및 상기 버퍼층을포함하는 유기박막 트랜지스터

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-13900220000 ; 등록일자: 2014-04-22 발명자: 문현식; 김도환; 박종진; 한정석

■ 관능화된 금속 나노 입자, 이를 포함하는 버퍼층 및 상기버퍼층을 포함하는 전자소자

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-13455070000 ; 등록일자: 2013-12-19 발명자: 문현식; 박종진; 구본원; 김도환; 한정석

■ 계면특성이 향상된 유기박막트랜지스터 및 그의 제조방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 특허번호:10-13796160000 ; 특허일자: 2014-03-24발명자: 김도환; 한정석; 이상윤; 구본원; 문현식

 

■ 보호막 형성용 조성물 및 이에 의한 보호막을 포함한유기박막 트랜지스터

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 특허번호: 10-14395380000 ; 특허일자: 2014-09-02 발명자: 한정석; 김도환; 구본원; 문현식; 이상윤

■ 잉크 드롭 존 및 채널 형성 존을 구비하는 뱅크를 포함하는유기박막 트랜지스터

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2007 -0081945 ; 출원일자: 2007-08-14 발명자: 구본원; 이상윤; 한정석; 김도환; 문현식

■ 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 유기 박막 트랜지스터

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2008 -0091631 ; 출원일자: 2008-09-18 발명자: 김도환; 유병욱; 이상윤; 박정일; 이방린; 문현식; 정은정

■ 유기반도체용 공중합체 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터 및 유기 전자소자

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2008 -0008028 ; 특허일자: 2008-01-25 발명자: 이방린; 한국민; 이은경; 문현식; 김도환

■ 표면개질제, 이를 사용하여 제조된 적층 구조, 그 구조의 제조방법 및 이를 포함하는 트랜지스터

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2009 -0010965 ; 출원일자: 2009-02-11 발명자: 박정일; 유병욱; 김도환; 정은정; 이상윤; 이방린

■ 자기 조립 단층용 조성물 및 이를 사용한 박막 트랜지스터의 제조 방법

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2009 -0064178 ; 출원일자: 2009-07-14 발명자: 유병욱; 박정일; 구본원; 이방린; 김도환; 이지열; 이상원

■ 미엘린 막을 채용하는 트랜지스터

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2009 -0101733 ; 출원일자: 2009-10-26 발명자: 권영남; 김도환; 한혁수; 정지심; 허성; 최윤혁

■ 압전 나노와이어 구조체 및 이를 포함하는 전기 기기

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2009 -0104648 ; 출원일자: 2009-10-30 발명자: 최덕현; 최재영; 김도환

■ 그라펜 및 유기공액분자의 적층 구조체 및 그의 제조방법

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2009 -0104985 ; 출원일자: 2009-11-02 발명자: 최재영; 김도환; 인수강

■ 발광소자 및 그 제조방법

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2010 -0027342 ; 출원일자: 2010-03-26 발명자: 김도환; 이상윤; 이광희; 이재관; 박성흠; 알린제이 히거; 조식욱

■ 유기 태양 전지 및 그 제조 방법

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2010 -0060761 ; 출원일자: 2010-06-25 발명자: 김도환; 이상윤; 구본원; 조길원; 김주현; 김종수

■ 이온성 유전체 기반 수직구조형 전계효과 트랜지스터

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2015-0027161 ; 출원일자: 2015-02-26 발명자: 김도환; 박도형; 이원재; 박상식

■ 복합 감지형 센서 및 제조방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-17070020000 ; 등록일자: 2017-02-09 발명자: 김도환; 정영진; 김소영

■ 커패시터형 후각 센서 및 제조 방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-17093290000 ; 등록일자: 2017-02-16 발명자: 김도환; 김소영; 한정석; 갈진하

■ 유기반도체 화합물 및 제조방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-16850710000 ; 등록일자: 2016-12-05 발명자: 김도환; 이호진; 박한울; 최근영

■ 이온성 탄성 유전체 기방 섬유형 트랜지스터 및 그 제조방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-17378280000 ; 등록일자: 2017-05-15 발명자: 김도환; 김소영;

■ 커패시터형 촉각센서 및 그 제조방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-17422400000 ; 등록일자: 2017-05-25 발명자: 김도환; 정희태; 박상식; 진밍량

■ 센서 결합형 액추에이터 햅틱 소자와 그 제작방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-17147130000 ; 등록일자: 2017-03-03 발명자: 김도환; 이호진; 허은아; 박상식

■ 무용매 공정과 직접 패터닝이 가능한 유/무기 하이브리드재료, 및 이를 사용한 탑게이트형 유기 전계효과 트랜지스터의 제조방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-17953040000; 등록일자: 2017-11-01 발명자: 곽영제; 김도환; 권준선

■ 발광 소자 및 제조방법

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-18764360000 ; 등록일자: 2018-07-03 발명자: 김도환; 강문성; 박상식; 공석환

■ 점유탄성 탄성중합체 기반 커패시터형 촉각센서

구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-18764380000 ; 등록일자: 2018-07-03 발명자: 김도환; 김주성; 지은송

■ 발광 및 변색형 듀얼보드 멀티 터치 센서

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2017-0124426 ; 출원일자: 2017-09-26 발명자: 김도환; 남경아; 양지혜; 김승한; 강문성

■ 이온성 탄성중합체를 이용한 정전 발전장치

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2018-0088738 ; 출원일자: 2018-07-30 발명자: 최덕현; 김도환; 황희재; 김주성; 지은송

■ 커패시터형 압력센서 및 그 제조방법

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2018-0126098 ; 출원일자: 2018-10-22 발명자: 김도환, 김주성

■ 시냅틱 역학 트랜지스터

구분: 출원 ; 특허국가: 대한민국 ; 출원번호: 10- 2019-0050741 ; 출원일자: 2019-04-30 발명자: 김도환, 정윤선, 김주성, 권혁민

■ 전기변색 소자, 이의 제조 방법, 및 상기 전기변색 소자를 포함하는 능동위장용 팬크로매틱형 전기변색 전자 피부
구분: 등록 ; 특허국가: 대한민국 ; 등록번호: 10-2030010 ; 등록일자: 2019-10-01 발명자: 김도환,구제형,김정선,안준모,정경진,채제욱

  • International

■ Method for fabricating an organic thin film transistor

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호: 12/379,856; 출원일자: 2009-03-03 발명자: Do Hwan Kim, Hyun Sik Moon, Byung Wook Yoo, Sang Yoon Lee, Bang Lin Lee, Jeong Il Park, Eun Jeong Jeong

■ Method for fabricating an organic thin film transistor by oxidation and selective reduction of organic semiconductor material 

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호: 11/819,036 ; 출원일자: 2007-06-25 발명자: Do Hwan Kim, Jung Seok Hahn, Sang Yoon Lee, Bon Won Koo

 

■ Method of forming organic thin film and method of manufacturing semiconductor device using the same

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호: 12/382,958 ; 출원일자: 2009-03-27 발명자: Do Hwan Kim, Sangyoon Lee, Hector Alejandro Becerril Garcia, Mark Roberts,Zhenan Bao, Zihong Liu

 

■ Nitrogen-containing heteroaromatic ligand-transition metal complexes, buffer layer comprising the complexes and organic thin film transistor comprising the buffer layer

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호: 11/980,349 ; 출원일자: 2007-10-31 발명자: Hyun Sik Moon, Do Hwan Kim, Jong Jin Park, Jung Seok Hahn

 

■ Composition for forming passivation layer and organic thin film transistor comprising the passivation layer 

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호:12/078,403 ; 출원일자: 2008-03-31발명자: Jung Seok Hahn, Do Hwan Kim, Bon Won Koo, Sang Yoon Lee, Hyun Sik Moon

 

■ Organic semiconducting copolymer and organic electronic device including the same

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호: 12/219,273 ; 출원일자: 2008-07-18 발명자: Bang Lin Lee, Kook-min Han, Eun-kyung Lee,Do-Hwan Kim, Hyun-Sik Moon

■ Preparation of Single-Crystalline Conjugated Polymer Structures by Surface-Induced Self-Assembly

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호: 11/894,169 ; 출원일자: 2007-08-20 발명자: Do Hwan Kim, Kilwon Cho

■ Multimodal Sensor And Manufacturing Method Thereof

구분: 출원 ; 특허국가: EP ; 출원번호: 15203121.7 ; 출원일자: 2015-12-30 발명자: Do Hwan Kim, Young Jin Jung, So Young Kim

■ Multimodal Sensor And Manufacturing Method Thereof

구분: 출원 ; 특허국가: CN ; 출원번호: 201511021440.6 ; 출원일자:2015-12-31 발명자: Do Hwan Kim, Young Jin Jung, So Young Kim

■ Multimodal Sensor And Manufacturing Method Thereof

구분: 등록 ; 특허국가: US ; 등록번호: 09933888 ; 등록일자: 2018-04-03 발명자: Do Hwan Kim, Youngjin Jeong, So Young Kim

■ Organic Semiconductor Compound and Method for Manufacturing the same

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호; 14/986.852 출원일자: 2016-01-04 발명자: Do Hwan Kim, Hojin Lee, Han Wool Park, Keun-Young Choi

■ Tactile Sensor And Method for Manufacturing the same

구분: 출원 ; 특허국가: CN ; 출원번호; 201610739566.5 출원일자: 2016-08-26 발명자: Do Hwan Kim; Hee Tae Jung; Sang Sik Park; Ming Liang Jin

■ Tactile Sensor And Method for Manufacturing the same

구분: 출원 ; 특허국가: EP ; 출원번호; 16185889,3 출원일자: 2016-08-26 발명자: Do Hwan Kim; Hee Tae Jung; Sang Sik Park; Ming Liang Jin

■ Tactile Sensor And Method for Manufacturing the same

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호;15/249592 출원일자: 2016-08-29 발명자: Do Hwan Kim; Hee Tae Jung; Sang Sik Park; Ming Liang Jin

■ Light emitting device and manufacturing method therefor

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호;16/072682 출원일자: 2018-07-25 발명자: Do Hwan Kim; Moon Sung Kang; Sang Sik Park; Seok Hwan Kong

■ Visco-poroelastic Elastomer-based Capacitor Type Tactile Sensor

구분: 출원 ; 특허국가: US ; 출원번호;16/100428 출원일자: 2018-08-10 발명자: Do Hwan Kim; Joo Sung Kim; Eun Song Jee; Moon Sung Kang

■ Organic semiconductor compound and method for manufacturing the same

구분: 등록 ; 특허국가: CN ; 등록번호;ZL 201511032372.3 등록일자: 2018-08-07 발명자: Do Hwan Kim, Hojin Lee, Han Wool Park, Keun-Young Choi

■ Tactile Sensor And Method for Manufacturing the same

구분: 등록 ; 특허국가: US ; 등록번호;10,164,632 등록일자: 2018-12-25 발명자: Do Hwan Kim; Hee Tae Jung; Sang Sik Park

■ Organic semiconductor compound and method for manufacturing the same

구분: 등록 ; 특허국가: US ; 등록번호;10,164,190 등록일자: 2018-12-25 발명자: Do Hwan Kim, Hojin Lee, Han Wool Park, Keun-Young Choi

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차세대 광전자 나노소재 및 소자 연구실 203호

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